Configuration de diode = Simple Application = Commutation haute fréquence Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 60V Type de boîtier = UMD Nombre de broches = 2
Configuration de diode = Simple Application = Commutation haute fréquence Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 60V Type de boîtier = UMD Nombre de broches = 2
Configuration de diode = Simple Application = Atténuateur RF, commutateur RF Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 80V Type de boîtier = X3DFN2 Nombre de broches = 2
Configuration de diode = Simple Nombre d'éléments par circuit = 1 Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 80V Type de boîtier = X3DFN2 Nombre de broches = 2
Configuration de diode = Simple Nombre d'éléments par circuit = 1 Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 80V Durée de vie de porteuse typique = 0.75µs Type de boîtier = TSSLP Nomb...
Configuration de diode = Simple Nombre d'éléments par circuit = 1 Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 80V Durée de vie de porteuse typique = 0.75µs Type de boîtier = TSSLP Nomb...
La diode PIN RF Infineon fournit des capacités de gestion haute tension et est fournie avec de faibles pertes et de faibles niveaux de distorsion. Sa faible résistance directe, sa faible capacité e...
Configuration de diode = Simple Nombre d'éléments par circuit = 1 Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 80V Durée de vie de porteuse typique = 0.75µs Type de boîtier = TSLP Nombr...
Configuration de diode = Simple Nombre d'éléments par circuit = 2 Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 30V Durée de vie de porteuse typique = 80ns Type de boîtier = SOT-323 Nomb...
Configuration de diode = Simple Nombre d'éléments par circuit = 2 Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 30V Durée de vie de porteuse typique = 80ns Type de boîtier = SOT-323 Nomb...
Configuration de diode = Simple Application = Commutateur Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 30V Durée de vie de porteuse typique = 80ns
Nombre d'éléments par circuit = 2 Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 150V Durée de vie de porteuse typique = 1550ns Type de boîtier = SOT-323 Nombre de broches = 3
Configuration de diode = 2 paires à cathode commune Application = Atténuateur RF, commutateur RF Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 150V Durée de vie de porteuse typique = 1550ns
Configuration de diode = Série Nombre d'éléments par circuit = 2 Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 150V Durée de vie de porteuse typique = 1.55µs Type de boîtier = SOT-23 Nom...
Configuration de diode = Simple Application = Commutateur Courant direct maximum = 100mA Tension inverse maximum = 150V Durée de vie de porteuse typique = 1.55µs