Transistors à effet de champ | MERCATEO (Page 2/34)

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IXYS IXTH360N055T2 MOSFET 1 Canal N 935 W TO-247AD (3 résultats de recherche)

MOSFET IXYS IXTH360N055T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 20000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonct...

IXYS

IXTH360N055T2

€ 12,30*
par Pièce

IXYS IXTH6N100D2 MOSFET 1 Canal N 300 W TO-247AD (1 offre)

MOSFET IXYS IXTH6N100D2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 2650 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction...

IXYS

IXTH6N100D2

€ 10,99*
par Pièce

IXYS IXTH90P10P MOSFET 1 Canal P 462 W TO-247AD (2 résultats de recherche)

MOSFET IXYS IXTH90P10P Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 5800 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction ...

IXYS

IXTH90P10P

€ 12,54*
par Pièce

IXYS IXTK550N055T2 MOSFET 1 Canal N 1250 W TO-264 (2 résultats de recherche)

MOSFET IXYS IXTK550N055T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-264 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 40000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonctio...

IXYS

IXTK550N055T2

€ 28,74*
par Pièce

IXYS IXTP260N055T2 MOSFET 1 Canal N 480 W TO-220AB (2 résultats de recherche)

MOSFET IXYS IXTP260N055T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 10800 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonct...

IXYS

IXTP260N055T2

€ 6,97*
par Pièce

Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4 (1 offre)

MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-261-4 Conditionnement: 1 pc(s) Type à déplétion du canal N Données techniques : C(ISS) : 146 pF · C(ISS) Tension de ré...

Infineon

BSP135H6327

€ 0,99*
par Pièce

Infineon BSP149 transistors 200 V (4 résultats de recherche)

Infineon

BSP149H6327XTSA1

€ 1,02*
par Pièce

Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 Canal N 500 mW TO-236-3 (1 offre)

MOSFET Infineon Technologies BSS123NH Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Type à enrichissement du canal N Données techniques : C(ISS) : 20.9 pF · C(ISS) Tension de...

Infineon

BSS123NH

€ 0,274*
par Pièce

Infineon Technologies BSS138 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23 (1 offre)

MOSFET Infineon Technologies BSS138 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23 Conditionnement: 1 pc(s) Type à enrichissement du canal N Données techniques : C(ISS) : 27 pF · C(ISS) Tension de référ...

Infineon

BSS138

€ 0,199*
par Pièce

Infineon BSS139 transistors 250 V (4 résultats de recherche)

Infineon

BSS139H6327XTSA1

€ 0,151*
par Pièce

Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 Canal N 360 mW TO-236-3 (1 offre)

MOSFET Infineon Technologies BSS139 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Type à déplétion du canal N Données techniques : C(ISS) : 76 pF · C(ISS) Tension de référenc...

Infineon

BSS139

€ 0,70*
par Pièce

Infineon BSS83P transistors 60 V (4 résultats de recherche)

Infineon

BSS83PH6327XTSA1

€ 0,2657*
par Pièce

Infineon BSS84P transistors 250 V (4 résultats de recherche)

Infineon

BSS84PH6327XTSA2

€ 0,0854*
par Pièce

Infineon Technologies IPP60R099C6 MOSFET 1 Canal N 278 W TO-220 (4 résultats de recherche)

MOSFET de puissance INFINEON IPA_, IPP_ TO Données techniques : I(d) : 37.9 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 278 W · R(DS)(on) : 0.099 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V ...

Infineon

IPP60R099C6XKSA1

€ 6,76*
par Pièce

Infineon Technologies IPP60R160C6 MOSFET 1 Canal N 176 W TO-220 (3 résultats de recherche)

MOSFET de puissance INFINEON IPA_, IPP_ TO Données techniques : I(d) : 23.8 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 176 W · R(DS)(on) : 0.16 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V ·...

Infineon

IPP60R160C6XKSA1

€ 4,37*
par Pièce

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