Transistors à effet de champ (427 produits)

MOSFET Données techniques : I(d) : 0.2 A · Puissance (max) P(TOT) : 0.35 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-92 · Type de montage : montage à ...

MOSFET Données techniques : I(d) : 10 A · Puissance (max) P(TOT) : 1.4 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 2x2 · Type de montage : monta...

MOSFET Données techniques : I(d) : 110 A · Puissance (max) P(TOT) : 45 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 5x6 · Type de montage : monta...

MOSFET Données techniques : I(d) : 110 A · Puissance (max) P(TOT) : 71 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-252AA · Type de montage : montage e...

MOSFET Données techniques : I(d) : 4 A · Puissance (max) P(TOT) : 1 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23 · Type de montage : montage en sai...

MOSFET Données techniques : I(d) : -4 A · Puissance (max) P(TOT) : 1 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23 · Type de montage : montage en sa...

MOSFET Données techniques : I(d) : -4 A · Puissance (max) P(TOT) : 1 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23 · Type de montage : montage en sa...

MOSFET Données techniques : I(d) : -4 A · Puissance (max) P(TOT) : 1.4 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23 · Type de montage : montage en ...

MOSFET IXYS IXFH320N10T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 26000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Foncti...

MOSFET IXYS IXFK80N50P Type de boîtier (semi-conducteur): TO-264 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 12700 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction F...

MOSFET IXYS IXFN100N50P Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-227B Conditionnement: 1 pc(s) . IXYS IXFN100N50P. . . . Données techniques : C(ISS) : 20000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · ...

MOSFET IXYS IXFP180N10T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 10500 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Foncti...

MOSFET IXYS IXFP7N100P Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 2590 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction ...

MOSFET IXYS IXFQ60N50P3 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-3P Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 6250 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction FE...

MOSFET IXYS IXFX98N50P3 Type de boîtier (semi-conducteur): PLUS-247-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 13100 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonct...

MOSFET IXYS IXTH12N100L Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 2500 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction...

MOSFET IXYS IXTH360N055T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 20000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonct...

MOSFET IXYS IXTH6N100D2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 2650 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction...

MOSFET IXYS IXTH90P10P Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 5800 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction ...

MOSFET IXYS IXTK550N055T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-264 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 40000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonctio...

MOSFET IXYS IXTN550N055T2 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-227B Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 40000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonct...

MOSFET IXYS IXTP260N055T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 10800 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonct...

MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-261-4 Conditionnement: 1 pc(s) Type à déplétion du canal N Données techniques : C(ISS) : 146 pF · C(ISS) Tension de ré...

MOSFET Infineon Technologies BSP149 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-261-4 Conditionnement: 1 pc(s) Type à déplétion du canal N Données techniques : C(ISS) : 430 pF · C(ISS) Tension de référen...

MOSFET Infineon Technologies BSS123NH Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Type à enrichissement du canal N Données techniques : C(ISS) : 20.9 pF · C(ISS) Tension de...

MOSFET Infineon Technologies BSS138 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23 Conditionnement: 1 pc(s) Type à enrichissement du canal N Données techniques : C(ISS) : 27 pF · C(ISS) Tension de référ...

MOSFET Infineon Technologies BSS139 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Type à déplétion du canal N Données techniques : C(ISS) : 76 pF · C(ISS) Tension de référenc...

MOSFET Infineon Technologies BSS83P Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Transistor à petits signaux. Enrichissement du canal P. Données techniques : C(ISS) : 78 pF ...

MOSFET de puissance INFINEON IPA_, IPP_ TO Données techniques : I(d) : 37.9 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 278 W · R(DS)(on) : 0.099 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V ...

MOSFET de puissance INFINEON IPA_, IPP_ TO Données techniques : I(d) : 23.8 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 176 W · R(DS)(on) : 0.16 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V ·...

MOSFET de puissance INFINEON IPA_, IPP_ TO Données techniques : I(d) : 20.20 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 151 W · R(DS)(on) : 0.19 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V ...

MOSFET de puissance INFINEON IPW_, IPZ_ TO Données techniques : I(d) : 77.5 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 481 W · R(DS)(on) : 0.041 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V ...

MOSFET de puissance INFINEON IPW_, IPZ_ TO Données techniques : I(d) : 53 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 391 W · R(DS)(on) : 0.07 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V · T...

MOSFET de puissance INFINEON IPW_, IPZ_ TO Données techniques : I(d) : 37.9 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 278 W · R(DS)(on) : 0.099 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V ...

MOSFET de puissance INFINEON IPW_, IPZ_ TO Données techniques : I(d) : 23.8 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 176 W · R(DS)(on) : 0.16 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V ·...

MOSFET de puissance INFINEON IPW_, IPZ_ TO Données techniques : I(d) : 20.20 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 151 W · R(DS)(on) : 0.19 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V ...

MOSFET Infineon Technologies IRF1010E Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 3210 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en l...

MOSFET Infineon Technologies IRF1010NPBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branc...

MOSFET Infineon Technologies IRF1104PBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 2900 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant :...