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type omnidirectionnel dimensions super miniatures: Ø 6mm

plage de température: -40°C à +100°C • impédance (à 25°C / 1mA): - • courant de sortie: 10mA • boîtier: TO92 • température nominale: +25°C

Câble compensateur en silicone de grande qualité permettant de créer automatiquement des cordons de rallonge (au mètre). Remarque: Une longueur de cordon de 5m ne doit pas être dépassée.Gamme de me...

Petit modulateur très performant pour un système IR de commande à distance. Avec boîtier métallique. sortie: actif bas • tension d'alimentation: 4.5V ~5.5V • tension "sortie basse": 0.2V • consomma...

processus de soudure: convient au soudage manuel (350 °C, 3-5 secondes), impropre au soudage à ondes puissance de rupture max.: 24 Vdc, 6 mA • dimensions: •• boîtier: Ø 4 mm x 13 mm •• connexions: ...

type n°: KBPC2501 • Ifsm (courant de crête): 300A • Vf (tension directe): 1.1V max. • Vrrm (tension inverse): 100V max. • Ir (courant inverse): 10µA • figure n°: fig. 4 • Io (courant redressé): 25A...

type n°: B250-C1500/1000 • Ifsm (courant de crête): 50A • Vf (tension directe): 1V • Vrrm (tension inverse): 250V max. • Ir (courant inverse): 20µA • figure n°: fig. 7 • Io (courant redressé): max....

type n°: B250-C5000/3300 • Ifsm (courant de crête): 150A • Vf (tension directe): 1.1V • Vrrm (tension inverse): 250V max. • Ir (courant inverse): 20µA • figure n°: fig. 5 • Io (courant redressé): 5...

type n°: KBPC2504 • Ifsm (courant de crête): 300A • Vf (tension directe): 1.1V max. • Vrrm (tension inverse): 400V max. • Ir (courant inverse): 10µA • figure n°: fig. 4 • Io (courant redressé): 25A...

type n°: KBPC3504 • Ifsm (courant de crête): 400A • Vf (tension directe): 1.1V max. • Vrrm (tension inverse): 400V max. • Ir (courant inverse): 10µA • figure n°: fig. 4 • Io (courant redressé): 35A...

type n°: RS401/L • Ifsm (courant de crête): 200A • Vf (tension directe): 1V max. • Vrrm (tension inverse): 50V max. • Ir (courant inverse): 10µA • figure n°: fig. 2 • Io (courant redressé): 4A max.

fréquence: 10MHz • capacité de charge: 30pF • résonance résistance: 50 ohm • CO: 7pF • puissance max.: 2mW • boîtier: fig. 2 • tolérance: ± 30 ppm • silicium conducteur de chaleur: S/HC49

fréquence: 20.000MHz • capacité de charge: 30pF • résonance résistance: 50 ohm • CO: 7pF • puissance max.: 2mW • boîtier: fig. 2 • tolérance: ± 30 ppm • silicium conducteur de chaleur: S/HC49

fréquence: 3.579545MHz • capacité de charge: 30pF • résonance résistance: 100 ohm • CO: 7pF • puissance max.: 2mW • boîtier: 2mW • tolérance: ± 30 ppm • silicium conducteur de chaleur: S/HC49

fréquence: 30.8750MHz • capacité de charge: 30pF • resonance résistance: 50 ohm • CO: 7pF • puissance max.: 2mW • boîtier: fig. 2 • tolérance: ± 30 ppm • silicium conducteur de chaleur: S/HC49