Modules IGBT | MERCATEO (Page 4/75)

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Produit

Fabricant/N°.

Prix HT

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Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre)

Fabricant: DACO Semiconductor Boîtier: HW9434 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 200A Courant ...

DACO Semiconductor

DAGNH2001200

à partir de € 73,56*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 600V (1 offre)

Fabricant: DACO Semiconductor Boîtier: HW9434 Tension inverse max.: 0,6kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 200A Courant ...

DACO Semiconductor

DAGNH200600

à partir de € 48,18*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre)

DACO Semiconductor

DAGNH751200

à partir de € 37,48*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 600V (1 offre)

DACO Semiconductor

DAGNH75600

à partir de € 29,08*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre)

Fabricant: HUAJING Boîtier: V1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±30V Courant du collecteur: 100A Courant du collecteur d...

HUAJING

HFGM100D12V1

à partir de € 37,47*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre)

Fabricant: HUAJING Boîtier: V3 62MM Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±30V Courant du collecteur: 150A Courant du collect...

HUAJING

HFGM150D12V3

à partir de € 59,22*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre)

HUAJING

HFGM200D12V3

à partir de € 62,06*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre)

HUAJING

HFGM300D12V3

à partir de € 103,89*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre)

Fabricant: HUAJING Boîtier: V1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±30V Courant du collecteur: 75A Courant du collecteur d'...

HUAJING

HFGM75D12V1

à partir de € 32,95*
par Pièce

Infineon 2ED300C17-S (2 résultats de recherche)

Infineon

2ED300C17SROHSBPSA1

à partir de € 125,44*
par Pièce

Infineon 2ED300C17-ST (2 résultats de recherche)

Infineon

2ED300C17STROHSBPSA1

à partir de € 134,602*
par Pièce

Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; vissés (1 offre)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-62MM-1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 400A Courant...

Infineon

DF400R12KE3HOSA1

à partir de € 126,15*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT x2; Ic: 150A (1 offre)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-ECONO3-4 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 150A ...

Infineon

F4150R12KS4BOSA1

à partir de € 212,27*
par Pièce

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT x2; Ic: 75A (3 résultats de recherche)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-EASY1B-1 Tension inverse max.: 0,6kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 75A C...

Infineon

F475R06W1E3BOMA1

à partir de € 27,61*
par Pièce

Module: IGBT; diode/transistor; redresseur 1-phase à diodes (2 résultats de recherche)

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES Boîtier: AG-EASY1B-1 Tension inverse max.: 0,6kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 30A Couran...

Infineon

FB30R06W1E3BOMA1

à partir de € 24,64*
par Pièce

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