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  Modules IGBT (1 121 produits)

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Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-UZ (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: GJ-UZ Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Courant du collecteur: 75A Utilisation: moteurs;onduleur Montage électriq...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG75UZ12GJ
à partir de € 19,06*
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 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-U; vissés (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: GJ-U Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 75A Courant du coll...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG75U12GJ
à partir de € 18,94*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-UZ (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: GJ-UZ Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Courant du collecteur: 50A Utilisation: moteurs;onduleur Montage électriq...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50UZ12GJ
à partir de € 19,01*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-U; vissés (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: GJ-U Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Courant du collecteur: 50A Utilisation: moteurs;onduleur Montage électriqu...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50U12GJ
à partir de € 18,99*
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 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; P3 (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: P3 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 35A Courant du collect...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG35P12P3
à partir de € 27,58*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; P3 (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: P3 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 25A Courant du collect...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG25P12P3
à partir de € 21,90*
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 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: C2 62mm Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 200A Courant...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG200HF12MRC2
à partir de € 50,32*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; P2 (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: P2 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 15A Courant du collect...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG15P12P2
à partir de € 16,11*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; P2 (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: P2 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 10A Courant du collect...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG10P12P2
à partir de € 13,12*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; GJ-UZ (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: GJ-UZ Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 100A Courant du co...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100UZ12GJ
à partir de € 19,00*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre) 
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY Boîtier: C1 34mm Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 100A Courant...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100HF12MRC1
à partir de € 21,79*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 106A; SOT227B (2 résultats de recherche) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 106A Courant du collecteur d...
Vishay
VS-GT90DA120U
à partir de € 25,17*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B (2 résultats de recherche) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 80A Courant du collecteur d'...
Vishay
VS-GT80DA120U
à partir de € 24,135*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 600V (1 offre) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: Dual INT-A-Pak LP16mm Tension inverse max.: 0,6kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 400A Coura...
Vishay
VS-GT400TD60S
à partir de € 215,03*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; Trench (1 offre) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: Dual INT-A-Pak Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 300A Courant du collec...
Vishay
VS-GT300YH120N
à partir de € 168,48*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V (2 résultats de recherche) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: INT-A-Pak Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 378A Courant du collect...
Vishay
VS-GT200TS065S
à partir de € 96,268*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V (2 résultats de recherche) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: INT-A-Pak Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 144A Courant du collect...
Vishay
VS-GT200TS065N
à partir de € 76,836*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 185A; SOT227B (2 résultats de recherche) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 185A Courant du collecteur d...
Vishay
VS-GT180DA120U
à partir de € 32,415*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V (2 résultats de recherche) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: INT-A-Pak Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 280A Courant du collect...
Vishay
VS-GT150TS065S
à partir de € 79,278*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V (2 résultats de recherche) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: INT-A-Pak Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 185A Courant du collect...
Vishay
VS-GT100TS065S
à partir de € 67,25*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V (2 résultats de recherche) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: INT-A-Pak Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 72A Courant du collecte...
Vishay
VS-GT100TS065N
à partir de € 57,543*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; SOT227B (2 résultats de recherche) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: SOT227B Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor simple Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 100A Courant du collecteur d...
Vishay
VS-GT100DA120UF
à partir de € 28,862*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT,thermistor (1 offre) 
Fabricant: VISHAY Boîtier: MTP Tension inverse max.: 0,6kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 50A Courant du collecteur d'...
Vishay
VS-50MT060PHTAPBF
à partir de € 67,27*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; onduleur 3-niveaux 1-phase; L3.1 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L3.1 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 75A Courant du c...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD75MLX65L3S
à partir de € 39,34*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1200V (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: C1 34mm Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 75A Cou...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD75HFY120C1S
à partir de € 30,56*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur 3-phases IGBT (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: C5 45mm Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 75A Cour...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD75FFX65C5S
à partir de € 53,80*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L3.0 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 50A Courant du c...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PJX65L3S
à partir de € 38,76*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: C5 45mm Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 50A Courant d...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PIX65C5S
à partir de € 54,33*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur H; Urmax: 1200V (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: C5 45mm Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 50A Cou...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HHU120C5S
à partir de € 57,65*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: C1 34mm Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 50A Cour...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFX65C1S
à partir de € 27,33*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L2.1 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 50A Courant...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50FSX65L2S
à partir de € 26,08*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur 3-phases IGBT (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: C5 45mm Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 50A Cou...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50FFY120C5S
à partir de € 55,47*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur 3-phases IGBT (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: C5 45mm Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 50A Cour...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50FFX65C5S
à partir de € 46,22*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: C5 45mm Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 40A Courant ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD40PIY120C5S
à partir de € 51,63*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L3.0 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 35A Courant du ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120L3S
à partir de € 36,85*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L2.2 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 30A Courant du c...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD30PJX65L2S
à partir de € 23,16*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L3.0 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 25A Courant du ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD25PJY120L3S
à partir de € 34,49*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L2.2 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 20A Courant du c...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65L2S
à partir de € 24,44*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: F1.1 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 20A Courant du c...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65F1S
à partir de € 24,92*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1200V (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: C2 62mm Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: transistor/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 200A Co...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFU120C2S
à partir de € 82,55*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L2.2 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 15A Courant du ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S
à partir de € 22,88*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: F4.1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 15A Courant du ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F4S
à partir de € 26,29*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: F1.1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 15A Courant du ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F1S
à partir de € 24,94*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L2.2 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 15A Courant du c...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65L2S
à partir de € 19,67*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: F1.1 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 15A Courant du c...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65F1S
à partir de € 23,73*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L2.2 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 10A Courant du ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S
à partir de € 19,66*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: F4.1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 10A Courant du ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S
à partir de € 23,31*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: F1.1 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 10A Courant du ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S
à partir de € 21,71*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: L2.5 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 10A Courant du c...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65L2S
à partir de € 17,50*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 offre) 
Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR Boîtier: F1.1 Tension inverse max.: 650V Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 10A Courant du c...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S
à partir de € 21,62*
par Pièce
 
 Pièce
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