Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO247-4 Tension drain-source: 3,3kV Courant du drain: 26A Résistance en état de conduction: 0,105Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de d...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: ISOPLUS i5-pac™ Temps d'attente: 1,75µs Tension drain-source: 4,5kV Courant du drain: 2A Résistance en état de conduction: 20Ω Type de transistor: N-MOSFET Pui...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO247-3 Tension drain-source: 600V Type de transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolaire La technologie: POWER MOS 5® Genre de canal: enrichi
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: ISOPLUS i5-pac™ Temps d'attente: 1,75µs Tension drain-source: 4,7kV Courant du drain: 2A Résistance en état de conduction: 20Ω Type de transistor: N-MOSFET Pui...
Fabricant: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montage: THT Boîtier: TO247-4 Tension drain-source: 1,7kV Courant du drain: 88A Résistance en état de conduction: 20mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dis...
Fabricant: Wolfspeed(CREE) Montage: THT Boîtier: TO247-3 Temps d'attente: 70ns Tension drain-source: 1,7kV Courant du drain: 48A Résistance en état de conduction: 45mΩ Type de transistor: N-MOSFET ...
Fabricant: Wolfspeed(CREE) Montage: THT Boîtier: TO247-3 Temps d'attente: 45ns Tension drain-source: 1,2kV Courant du drain: 90A Résistance en état de conduction: 25mΩ Type de transistor: N-MOSFET ...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264MAX Tension drain-source: 1kV Courant du drain: 38A Résistance en état de conduction: 0,26Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dis...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264MAX Tension drain-source: 1,2kV Courant du drain: 30A Résistance en état de conduction: 0,4Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de di...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: ISOPLUS i4-pac™ x024c Temps d'attente: 660ns Tension drain-source: 4,5kV Courant du drain: 1,4A Résistance en état de conduction: 40Ω Type de transistor: N-MOS...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264MAX Tension drain-source: 1kV Courant du drain: 38A Résistance en état de conduction: 0,26Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dis...
Fabricant: NTE Electronics Montage: THT Boîtier: TO3 Tension drain-source: 600V Courant du drain: 2,8A Résistance en état de conduction: 1,2Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation: ...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: TO264 Temps d'attente: 370ns Tension drain-source: 2,5kV Courant du drain: 3A Résistance en état de conduction: 10Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de d...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: PLUS247™ Temps d'attente: 370ns Tension drain-source: 2,5kV Courant du drain: 3A Résistance en état de conduction: 10Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance d...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264 Tension drain-source: 600V Courant du drain: 49A Résistance en état de conduction: 0,125Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de diss...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: TO247PLUS-HV Temps d'attente: 660ns Tension drain-source: 4,5kV Courant du drain: 1,4A Résistance en état de conduction: 40Ω Type de transistor: N-MOSFET Puiss...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO247MAX Tension drain-source: 600V Courant du drain: 49A Résistance en état de conduction: 0,125Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de d...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264 Tension drain-source: 500V Courant du drain: 58A Résistance en état de conduction: 90mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissip...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: TO247PLUS-HV Temps d'attente: 520ns Tension drain-source: 2kV Courant du drain: 6A Résistance en état de conduction: 4Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance ...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: PLUS264™ Temps d'attente: 1µs Tension drain-source: 1kV Courant du drain: 30A Résistance en état de conduction: 0,45Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de...
Fabricant: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Boîtier: TO247-4 Tension drain-source: 650V Courant du drain: 62A Résistance en état de conduction: 27mΩ Type de transistor: N-JFET/N-MOSFET Puissance de d...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264MAX Tension drain-source: 600V Courant du drain: 73A Résistance en état de conduction: 75mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dis...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264MAX Tension drain-source: 600V Courant du drain: 73A Résistance en état de conduction: 75mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dis...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: ISOPLUS i4-pac™ x024c Temps d'attente: 400ns Tension drain-source: 3kV Courant du drain: 1,6A Résistance en état de conduction: 21Ω Type de transistor: N-MOSFE...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO247MAX Tension drain-source: 500V Courant du drain: 58A Résistance en état de conduction: 90mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dis...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264MAX Tension drain-source: 800V Courant du drain: 52A Résistance en état de conduction: 0,14Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de di...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO247-3 Tension drain-source: 1,7kV Courant du drain: 48A Résistance en état de conduction: 45mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dis...
Fabricant: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Boîtier: TO247-3 Tension drain-source: 650V Courant du drain: 62A Résistance en état de conduction: 27mΩ Type de transistor: N-JFET/N-MOSFET Puissance de d...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: ISOPLUS i4-pac™ x024c Temps d'attente: 2,5µs Tension drain-source: 2,5kV Courant du drain: 1A Résistance en état de conduction: 40Ω Type de transistor: N-MOSFE...
Fabricant: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Boîtier: TO247-4 Tension drain-source: 1,2kV Courant du drain: 108A Résistance en état de conduction: 18mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissi...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: PLUS264™ Temps d'attente: 0,5µs Tension drain-source: 500V Courant du drain: 62A Résistance en état de conduction: 0,1Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance ...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: ISOPLUS i5-pac™ Tension drain-source: 1,2kV Courant du drain: 24A Résistance en état de conduction: 0,34Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: T-Max Tension drain-source: 800V Courant du drain: 38A Résistance en état de conduction: 0,2Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissip...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264MAX Tension drain-source: 800V Courant du drain: 52A Résistance en état de conduction: 0,16Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de di...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264MAX Tension drain-source: 600V Courant du drain: 65A Résistance en état de conduction: 80mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dis...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264 Tension drain-source: 800V Courant du drain: 38A Résistance en état de conduction: 0,22Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissi...
Fabricant: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Boîtier: TO247-3 Tension drain-source: 1,7kV Courant du drain: 48A Résistance en état de conduction: 90mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissip...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264 Tension drain-source: 1,2kV Courant du drain: 22A Résistance en état de conduction: 570mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de diss...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264 Tension drain-source: 800V Courant du drain: 38A Résistance en état de conduction: 0,2Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissip...
Fabricant: ONSEMI Montage: THT Boîtier: TO247-3 Tension drain-source: 900V Courant du drain: 83A Résistance en état de conduction: 28mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation: 251W P...
Fabricant: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Boîtier: TO247-4 Tension drain-source: 1,7kV Courant du drain: 48A Résistance en état de conduction: 90mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissip...
Fabricant: NXP Boîtier: TO247-3 Tension drain-source: 50V Type de transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolaire Genre de la emballage: tube Montage électrique: THT Genre de transistor: RF Genre de ...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO264 Tension drain-source: 100V Courant du drain: 100A Résistance en état de conduction: 11mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissi...
Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: TO264 Temps d'attente: 1,1µs Tension drain-source: 1,5kV Courant du drain: 20A Résistance en état de conduction: 1Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de d...
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Boîtier: TO247MAX Tension drain-source: 1,2kV Courant du drain: 22A Résistance en état de conduction: 570mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de d...