hexfet  (1 236 produits)

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en s...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 110 A Tension Drain Source maximum = 55 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,0065 Ω ...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 110 A Tension Drain Source maximum = 55 V Série = AUIRF Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,0065 Ω M...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 110 A Tension Drain Source maximum = 55 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,0065 Ω ...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 110 A Tension Drain Source maximum = 55 V Série = AUIRF Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,0065 Ω M...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 84 A Tension Drain Source maximum = 60 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,012 Ω Mo...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 36 A Tension Drain Source maximum = 100 V Type de boîtier = D2PAK (TO-263) Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source m...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 36 A Tension Drain Source maximum = 100 V Série = AUIRF Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,0265 Ω M...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 320 A Tension Drain Source maximum = 40 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 0,0016 Ω ...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 105 A Tension Drain Source maximum = 150 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 0,0118 O...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 523 A Tension Drain Source maximum = 40 V Type de boîtier = D2PAK-7 Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum ...

Les transistors MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilisent les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques sup...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 269 A Tension Drain Source maximum = 75 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 0,002 Ω M...