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Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 68 A Tension Drain Source maximum = 60 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 9 Résistance Drain Source maximum = 0,007 Ω Mo...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 345 A Tension Drain Source maximum = 60 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 0,0015 Ω ...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 27 A Tension Drain Source maximum = 55 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,045 Ω Te...

Transistor MOSFET de puissance à canal N 55 V série Infineon HEXFET. Il utilise des techniques Advanced Processing pour obtenir la plus faible résistance possible par surface de silicium. Ce transi...

Transistor MOSFET de puissance à canal N série Infineon HEXFET. Il utilise des techniques Advanced Processing pour obtenir la plus faible résistance possible par surface de silicium. Ce transistor ...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 31 A Tension Drain Source maximum = 100 V Type de boîtier = DPAK (TO-252) Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source ma...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 23 A Tension Drain Source maximum = 30 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,045 Ω, 0...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 35 A Tension Drain Source maximum = 100 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,0285 Ω ...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 31 A Tension Drain Source maximum = 100 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 31 Ω Mode...

Ce transistor MOSFET de puissance Infineon HEXFET ® utilise les toutes dernières techniques de traitement dID 35 A pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiq...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 42 A Tension Drain Source maximum = 55 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,027 Ω Mo...

Les transistors MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilisent les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques sup...