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MOSFET IXYS IXTH360N055T2 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247AD Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 20000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonct...

Diodes de redressement, IXYS

Type de capacité d'E/S 1 pF Courant de fuite à l'état d'arrêt max. 1 µA Gamme de produit OptoMOS Bornes de relais Gull Wing Résistance, Ron, max.. 8 ohm Type de charge AC / DC Courant, charge 150 m...

Diodes de redressement, IXYS

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.145 ohm Gamme de produit HiPerFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal C...

Diodes de redressement, IXYS

Configuration diode Une Courant de surtension vers l'avant 110 A Gamme de produit HiPerFRED Température de fonctionnement max.. 175 °C Tension inverse crête répétitive 600 V Courant direct moyen 15...

Diodes de redressement, IXYS

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Diodes de redressement, IXYS

Configuration diode Une Courant de surtension vers l'avant 40 A Gamme de produit HiPerFRED Température de fonctionnement max.. 175 °C Tension inverse crête répétitive 1.2 kV Courant direct moyen 8 ...

Diodes de redressement, IXYS

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.185 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drai...

Diodes de redressement, IXYS

Gamme de produit - MSL - Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-247AD Tension de saturation Emetteur Collecteur 2.1 V Cou...