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  Module IGBT  (1 823 produits)

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"Modules IGBT"

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INFINEON FZ3600R17HP4HOSA2 MODULE IGBT 1,7KV, 3,6KA, 21KW, GOUJON (1 offre) 
Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.7 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 3.6 kA Borne IGBT Goujon Tension...
Infineon
FZ3600R17HP4HOSA2
à partir de € 1 178,94*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 1 Puissance: 5,5kW Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteu...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB126V20 25231200
à partir de € 80,06*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1EDI2002ASXUMA2 5 mA 4.65 → 18V, 36 broches, DSO (1 offre) 
Courant de sortie = 5 mA Tension d'alimentation = 4.65 → 18V Nombre de broches = 36 Type de boîtier = DSOns
Infineon
1EDI2002ASXUMA2
à partir de € 6,56*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: SEMITRANS3 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 186A Courant du ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GBD126D 22891102
à partir de € 138,19*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1ED020I12FTXUMA1, CMOS 2 A 4.5 → 5.5V, 16 broches, DSO-16 (2 résultats de recherche) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 2 A Tension d'alimentation = 4.5 → 5.5V Nombre de broches = 16 Temps de descente = 350ns
Infineon
1ED020I12FTXUMA1
à partir de € 2,106*
par Pièce
 
 Pièce
INFINEON FZ600R12KE3HOSA1 MODULE TRANSISTOR IGBT 1,2KV 900A (2 résultats de recherche) 
Gamme de produit Standard 62mm C Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Température de fonctionnement max.. 125 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 900 A Borne IGBT G...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
à partir de € 131,91*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; THT (1 offre) 
Fabricant: POWERSEM Boîtier: ECO-PAC 2 Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 94A Courant du collecteur...
Powersem
PSSI 100/12
à partir de € 35,37*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1ED020I12FTAXUMA2, CMOS 2 A 20V, 20 broches, PG-DSO-20 (1 offre) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 2 A Tension d'alimentation = 20V Nombre de broches = 20 Type de boîtier = PG-DSO-20ns
Infineon
1ED020I12FTAXUMA2
à partir de € 3 535,02*
par 1 000 Pièces
 
 Boîte
INFINEON FZ400R17KE4HOSA1 MODULE TRANSISTOR IGBT 1,7KV 550A (2 résultats de recherche) 
Gamme de produit Standard 62mm C Tension Collecteur Emetteur Max 1.7 kV Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 550 A Borne IGBT L...
Infineon
FZ400R17KE4HOSA1
à partir de € 85,18*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: SEMITRANS2 Tension inverse max.: 1,7kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteur: 100A Courant du ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL17E4 22895100
à partir de € 48,85*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, FP75R12N2T7B11BPSA1, , 75 A, 1200 V, Module, 31 broches, Triphasé (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 75 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 20 mW Configuration = Triphasé Ty...
Infineon
FP75R12N2T7B11BPSA1
à partir de € 996,55*
par 10 Pièces
 
 Boîte
Module IGBT, FZ600R17KE4HOSA1, , 840 A, 1700 V (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 840 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1700 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 3,35 kW
Infineon
FZ600R17KE4HOSA1
à partir de € 118,35*
par Pièce
 
 Pièce
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,redresseur 3-phase (1 offre) 
Fabricant: SEMIKRON DANFOSS Boîtier: MiniSKiiP® 1 Puissance: 5,5kW Tension inverse max.: 1,2kV Construction de semi-conducteur: diode/transistor Tension entrée - émetteur: ±20V Courant du collecteu...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB126V1 25230020
à partir de € 33,37*
par Pièce
 
 Pièce
Module driver IGBT 1EDI60I12AFXUMA1, CMOS 6 A 15V, 8 broches, PG-DSO-8-51 (1 offre) 
Type logique = CMOS Courant de sortie = 6 A Tension d'alimentation = 15V Nombre de broches = 8 Type de boîtier = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI60I12AFXUMA1
à partir de € 1,07*
par Pièce
 
 Pièces
Module IGBT, FZ600R12KE4HOSA1, , 600 A, 1 200 V, Module (2 résultats de recherche) 
Courant continu de Collecteur maximum = 600 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1 200 V Tension Grille Emetteur maximum = +/-20V Dissipation de puissance maximum = 3 kW Type de boîtier = Module...
Infineon
FZ600R12KE4HOSA1
à partir de € 95,554*
par Pièce
 
 Pièce
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