MOSFET  (25 480 produits)

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 17 A Tension Drain Source maximum = 100 V Type de boîtier = DPAK (TO-252) Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Nombre d'éléments par circ...

Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: ISOPLUS i5-pac™ Tension drain-source: 1kV Courant du drain: 29A Résistance en état de conduction: 0,23Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation: ...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 8,7 A Tension Drain Source maximum = 100 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,19 Ω M...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 170 A Tension Drain Source maximum = 75 V Série = 1 Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 4,5 mO Tension...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 31 A Tension Drain Source maximum = 100 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 31 Ω Mode...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 25 A Tension Drain Source maximum = 60 V Série = OptiMOS™ -T2 Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,3 ...

Fabricant: IXYS Montage: SMD Boîtier: TO263 Temps d'attente: 800ns Tension drain-source: 1kV Courant du drain: 2A Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation: 86W Polarisation: unipolaire...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 86 A Tension Drain Source maximum = 40 V Type de boîtier = DPAK (TO-252) Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source max...

Fabricant: IXYS Montage: SMD Boîtier: TO252 Temps d'attente: 750ns Tension drain-source: 1kV Courant du drain: 1A Résistance en état de conduction: 15Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dis...

Ce transistor MOSFET Super Junction Infineon 600V Cool MOS P7 continue déquilibrer le besoin dun haut rendement par rapport à la facilité dutilisation dans le processus de conception. Le meilleur R...

Les transistors MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilisent les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques sup...

Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: TO264 Temps d'attente: 420ns Tension drain-source: 200V Courant du drain: 110A Résistance en état de conduction: 24mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 27 A Tension Drain Source maximum = 55 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,045 Ω Te...

Fabricant: NTE Electronics Montage: THT Boîtier: TO220 Tension drain-source: 1kV Courant du drain: 2A Résistance en état de conduction: 5Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation: 125...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 9 A Tension Drain Source maximum = 600 V Type de boîtier = DPAK (TO-252) Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source max...