MOSFET  (24 870 produits)

Transistors MOSFET canal N DN2625. Le DN2625 de Microchip est un transistor MOSFET à mode de déplétion à seuil bas (normalement en marche) utilisant une structure DMOS verticale avancée. La concept...

Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage ...

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3. Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de ...

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 40 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en s...

Tension de test Rds(on) 0 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 3.5 ohm Gamme de produit DN2625 MSL MSL 3 - 168 heures Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de ca...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.092 ohm Gamme de produit PolarHT Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant...

Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en s...

Résistance Drain-Source à l'état-ON 1 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal P Courant de drain Id 10 A Température de fonctionnement...

Courant Source - Type commutateur de puissance MOSFET Gamme de produit - Type d'entrée Non Inverseur Tension, alimentation max.. 5.5 V MSL MSL 3 - 168 heures Nombre de broches 8 Broche(s) Courant S...

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série X2. La série X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux génér...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 300 A Tension Drain Source maximum = 100 V Série = IPT015N10N5 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 2 m...

Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.145 ohm Gamme de produit X2-Class Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de dra...

Transistor MOSFET de puissance DirectFET®, Infineon. Le boîtier de puissance DirectFET® est une technologie de boîtier de transistor de puissance MOSFET à montage en surface. Les transistors MOSFET...