MOSFET  (14 473 produits)

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 730 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drai...

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série X2. La série X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux génér...

SVHC No SVHC (23-Jan-2024) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0136 ohm Gamme de produit Série Trench MSL - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage e...

Transistor MOSFET de puissance à canal P 30 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en su...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 760 µohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal C...

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 12 à 25 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage...

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.016 ohm Gamme de produit Trench MSL - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P C...

Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™. Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS ™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant ...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 940 µohm Gamme de produit - Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de dra...

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0032 ohm Gamme de produit Trench Series MSL - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal C...

Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®. Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissem...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.048 ohm Gamme de produit Trench MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de c...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.005 ohm Gamme de produit Trench Series MSL - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Can...

Transistor MOSFET de puissance à canal P 100 à 150 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montag...