MOSFET  (25 174 produits)

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3. Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de ...

Type de capacité d'E/S 1 pF Courant de fuite à l'état d'arrêt max. 1000 pA Gamme de produit G3VM Series Bornes de relais A souder Résistance, Ron, max.. 3 ohm Type de charge AC / DC Courant, charge...

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™. Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)

Tension Drain Source Vds, Canal N 40 V Courant de drain continu Id, Canal P 40 A Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 40 V Courant de drain continu Id,...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 110 A Tension Drain Source maximum = 850 V Série = HiperFET Type de montage = Montage à visser Nombre de broches = 4 Résistance Drain Source max...

Type de capacité d'E/S - Courant de fuite à l'état d'arrêt max. - Gamme de produit G3VM Series Bornes de relais A souder Résistance, Ron, max.. 1.5 ohm Type de charge AC / DC Courant, charge 400 mA...

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™. Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)

Type de capacité d'E/S 0.8 pF Courant de fuite à l'état d'arrêt max. 1 µA Gamme de produit G3VM Series Bornes de relais A souder Résistance, Ron, max.. 0.3 ohm Type de charge AC / DC Courant, charg...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0064 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de dra...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 145 A Tension Drain Source maximum = 650 V Série = HiperFET Type de montage = Montage à visser Nombre de broches = 4 Résistance Drain Source max...

Type de capacité d'E/S 0.8 pF Courant de fuite à l'état d'arrêt max. 1 µA Gamme de produit G3VM Bornes de relais Gull Wing Résistance, Ron, max.. 1.2 ohm Type de charge AC / DC Courant, charge 350 ...

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Tension Drain Source Vds, Canal N 40 V Courant de drain continu Id, Canal P 30 A Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 40 V Courant de drain continu Id,...