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MOSFET onsemi canal N, SOT-23 3,6 A 20 V, 3 broches (1 offre) Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 3,6 A Tension Drain Source maximum = 20 V Type de boîtier = SOT-23 Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum =... |
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à partir de € 13,998*
par 100 Pièces |
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ROHM RQ3E080BNTB MOSFET, CANAL N, 30V, 15A, TSMT (2 résultats de recherche) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.011 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal ... |
ROHM Semiconductor RQ3E080BNTB |
à partir de € 0,13*
par Pièce |
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MOSFET onsemi canal N, SOT-23 300 mA 60 V, 3 broches (3 résultats de recherche) Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densi... |
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à partir de € 0,0488*
par Pièce |
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ROHM RRS050P03HZGTB MOSFET CANAL P 30V 5A SOP (2 résultats de recherche) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.036 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Courant... |
ROHM Semiconductor RRS050P03HZGTB |
à partir de € 0,443*
par Pièce |
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ROHM RQ3E120ATTB MOSFET CANAL P -30V -39A HSMT (2 résultats de recherche) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0061 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal... |
ROHM Semiconductor RQ3E120ATTB |
à partir de € 0,255*
par Pièce |
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ROHM RS1E200BNTB MOSFET CANAL N 30V 20A HSOP-8 (1 offre) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0028 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Couran... |
ROHM Semiconductor RS1E200BNTB |
à partir de € 0,345*
par Pièce |
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MOSFET onsemi canal N, SOT-23 300 mA 60 V, 3 broches (1 offre) Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densi... |
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à partir de € 9,51*
par 100 Pièces |
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ROHM RQ3E150BNTB MOSFET CANAL N, 30V 39A TSMT (2 résultats de recherche) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0038 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal... |
ROHM Semiconductor RQ3E150BNTB |
à partir de € 0,24*
par Pièce |
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à partir de € 6,29*
par 200 Pièces |
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ROHM Semiconductor RS1E240GNTB |
à partir de € 0,328*
par Pièce |
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ROHM RQ3E160ADTB MOSFET, CANAL N, 30V, HSMT (2 résultats de recherche) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0035 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal... |
ROHM Semiconductor RQ3E160ADTB |
à partir de € 0,26*
par Pièce |
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à partir de € 0,92*
par Pièce |
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ROHM RS1G180MNTB MOSFET CANAL N, 40V 80A HSOP (2 résultats de recherche) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.005 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal ... |
ROHM Semiconductor RS1G180MNTB |
à partir de € 0,32*
par Pièce |
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à partir de € 4,08*
par 100 Pièces |
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ROHM RQ3G110ATTB MOSFET CANAL P 40V 35A HSMT (1 offre) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0098 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal... |
ROHM Semiconductor RQ3G110ATTB |
à partir de € 0,584*
par Pièce |
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