MOSFET  (24 880 produits)

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0054 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de d...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0047 ohm Gamme de produit U-MOSIX-H Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0073 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de d...

Courant de drain Id 57 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOP Advance Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 34 W Qualification - Tension de seuil V...

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 410 µohm Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de dra...

Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 610 µohm Gamme de produit U-MOSIX-H Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N...

Automobile Régulateurs de tension à découpage Drivers de moteur Faible résistance drain-source : RDS(ON) = 5,5 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) Faible courant de fuite : IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 100 V) Mod...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0061 ohm Gamme de produit U-MOSVIII-H Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Can...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0088 ohm Gamme de produit U-MOSIX-H Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal...

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics. Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les sér...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0073 ohm Gamme de produit U-MOSIX-H Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal...

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics. Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent ...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0096 ohm Gamme de produit U-MOSX-H Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal ...