MOSFET  (14 482 produits)

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.263 ohm Gamme de produit EF Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id ...

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.32 ohm Gamme de produit D MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain...

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

Dissipation de puissance 208 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (17-Jan-2022) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.15 ohm Gamme de produit E S...

Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor. Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximal...

Type de canal Canal N Courant de drain Id 13 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220AB Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 156 W Qualification...

Transistor MOSFET canal N, TrenchFET jusqu'à Gen III, Vishay Semiconductor

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.22 ohm Gamme de produit EF Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 1...

Transistor MOSFET à canal N avec diode rapide, série EF, Vishay Semiconductor. Temps de récupération inverse, charge de recouvrement inverse, et courant de récupération inverse réduits Facteur de m...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.25 ohm Gamme de produit E MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N C...

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.16 ohm Gamme de produit E Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 21...

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.22 ohm Gamme de produit EF Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 1...