MOSFET  (25 094 produits)

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.015 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal ...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 33 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Série = SCT Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 0,105 Ω Mod...

Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 125 °C IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller IC-Bauform: SOIC Anzahl de...

:

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 33 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Série = SCT Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,10...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.00944 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de cana...

:

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 15 A Tension Drain Source maximum = 1 200 V Type de boîtier = AG-EASY1B Type de montage = Montage à visser

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 4.5 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Ca...

Attention! Produit disponible en vente uniquement en quantité disponible en stock. En cas de commande d’une quantité supérieurs, celle-ci sera modifiée en quantité disponible. :

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 100 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Type de boîtier = AG-EASY2B Type de montage = Montage à visser Tension de seuil maximale de la grill...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0031 ohm Gamme de produit TrenchMOS MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type ...

Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics a été développé à laide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de S...

:

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 65 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Série = SCT Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,59...