MOSFET  (25 173 produits)

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 11 A Tension Drain Source maximum = 150 V Type de boîtier = PowerDI5060-8

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0138 ohm Gamme de produit TrenchMOS MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type ...

Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: TO247-3 Tension drain-source: 800V Courant du drain: 14A Résistance en état de conduction: 720mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation: 400W Po...

Le MOSFET à mode damélioration de paire complémentaire DiodesZetex 100 V est conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications automobiles. Il est certifié AEC-Q101, pris en charge par...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.009 ohm Gamme de produit TrenchMOS MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type d...

Fabricant: IXYS Montage: THT Boîtier: TO3P Temps d'attente: 250ns Tension drain-source: 300V Courant du drain: 52A Résistance en état de conduction: 73mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de d...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 100 A Tension Drain Source maximum = 40 V Série = DMNH4004 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 0,006 Ω...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0059 ohm Gamme de produit TrenchMOS MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type ...

Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Boîtier: D3PAK Tension drain-source: 500V Courant du drain: 32A Résistance en état de conduction: 0,15Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissi...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.041 ohm Gamme de produit TrenchMOS MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type d...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 30 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Type de boîtier = A-247 Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source ma...

Le MOSFET DiodesZetex 60 V, 8 broches à mode damélioration canal N est conçu pour minimiser la résistance à létat passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le r...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0073 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 4 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal...

Fabricant: IXYS Montage: SMD Boîtier: TO263 Temps d'attente: 250ns Tension drain-source: 800V Courant du drain: 7A Résistance en état de conduction: 1,44Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de ...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 4 A Tension Drain Source maximum = 60 V Type de boîtier = PowerDI3333-8 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maxi...