Transistor de puissance  (27 231 produits)

Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.7 kV Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 1.6 kA Température de fonctionnement max.. 150 °C Borne IGBT Goujon Tension...

Transistors de puissance NPN, STMicroelectronics

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.3 ohm Gamme de produit MDmesh K5 MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de ...

Transistors NPN à usage général, jusqu'à 1,5 A, Diodes Inc

Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.7 kV Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 337 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Borne IGBT Goujon Tension ...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.14 ohm Gamme de produit STripFET II MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type ...

Transistors petits signaux NPN, plus de 100 V, Fairchild Semiconductor

Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 309 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Borne IGBT Goujon Tension ...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.275 ohm Gamme de produit MDmesh K5 MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type d...

Les références fabricant avec un préfixe NSV sont conformes à la norme AEC-Q101 pour automobile. Transistors bipolaires RF, ON Semiconductor

Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 650 V Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 35 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Borne IGBT A souder Tension ...

Transistors NPN à usage général, Taiwan Semiconductor

Les références fabricant avec un préfixe NSV sont conformes à la norme AEC-Q101 pour automobile. Transistors bipolaires RF, ON Semiconductor

Gamme de produit - Tension Collecteur Emetteur Max 1.2 kV Type de boîtier de transistor Module Courant Collecteur Continu 3.353 kA Température de fonctionnement max.. 150 °C Borne IGBT Goujon Tensi...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.168 ohm Gamme de produit MDmesh II Plus MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface T...