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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; unipolaire; en cascade; 1,2kV; 14A (1 offre) 
Type de transistor: N-JFET/N-MOSFET Polarisation: unipolaire Genre de transistor: en cascade Tension drain-source: 1.2kV Courant du drain: 14A Puissance: 113.6W Boîtier: TO247-3 Tension entrée-sour...
UNITEDSIC
UJC1210K
à partir de € 18,41*
par Pièce
 
 Pièce
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; unipolaire; en cascade; 650V; 23,5A (1 offre) 
Type de transistor: N-JFET/N-MOSFET Polarisation: unipolaire Genre de transistor: en cascade Tension drain-source: 650V Courant du drain: 23.5A Puissance: 113W Boîtier: TO247-3 Tension entrée-sourc...
UNITEDSIC
UJC06505K
à partir de € 14,51*
par Pièce
 
 Pièce
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 1,36A; 2W; SOT223; QFET® (1 offre) 
Type de transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolaire Tension drain-source: 100V Courant du drain: 1.36A Puissance: 2W Boîtier: SOT223 Tension entrée-source: ±20V Résistance en état de conduction: ...
ON Semiconductor
FQT7N10LTF
à partir de € 0,151*
par Pièce
 
 Pièces
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 55V; 5,2A; 1,8W; SOT223; OptiMOS™ (1 offre) 
Type de transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolaire Tension drain-source: 55V Courant du drain: 5.2A Puissance: 1.8W Boîtier: SOT223 Tension entrée-source: ±20V Résistance en état de conduction: ...
Infineon
BSP603S2L
à partir de € 0,40*
par Pièce
 
 Pièce
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 2,7A; 110W; TO220-3 (1 offre) 
Type de transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolaire Tension drain-source: 800V Courant du drain: 2.7A Puissance: 110W Boîtier: TO220-3 Tension entrée-source: ±30V Résistance en état de conduction...
ST Microelectronics
STP5NK80Z
à partir de € 0,67*
par Pièce
 
 Pièce
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; logic level; 55V; 41A; 83W (1 offre) 
Type de transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolaire Genre de transistor: logic level Tension drain-source: 55V Courant du drain: 41A Puissance: 83W Boîtier: TO220AB Tension entrée-source: ±16V Ré...
INFINEON (IRF)
IRLZNPBF
à partir de € 0,38*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, IRGB4059DPBF, Canal-N, 8 A 600 V TO-220AB, 3 broches (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 8 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 600 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Type de boîtier = TO-220AB Type de montage = Traversant Type de canal ...
Infineon
IRGB4059DPBF
à partir de € 1,606*
par Pièce
 
 Pièces
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 20A; 208W; TO220AB (1 offre) 
Type de transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolaire Tension drain-source: 600V Courant du drain: 20A Puissance: 208W Boîtier: TO220AB Tension entrée-source: ±30V Résistance en état de conduction:...
ON Semiconductor
FCP20N60
à partir de € 3,58*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, AUIRGS30B60K, Canal-N, 78 A 600 V D2PAK (TO-263) 30kHz, 3 broches (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 78 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 600 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 370 W Type de boîtier = D2PAK (TO-...
Infineon
AUIRGS30B60K
à partir de € 2,016*
par Pièce
 
 Pièce
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1000V; 1A; 50W; DPAK; QFET® (1 offre) 
Type de transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolaire Tension drain-source: 1000V Courant du drain: 1A Puissance: 50W Boîtier: DPAK Tension entrée-source: ±30V Résistance en état de conduction: 900...
ON Semiconductor
FQD2N100TM
à partir de € 0,39*
par Pièce
 
 Pièce
Redresseur 3-phases IGBT, redresseur 3-phase, thermistor NTC (1 offre) 
Type de module: IGBT Construction de semi-conducteur: diode/transistor Topologie: redresseur 3-phase; thermistor NTC; redresseur 3-phases IGBT Tension inverse max.: 1.2kV Courant du collecteur: 15A...
Infineon
FP15R12W1T4_B3
à partir de € 31,17*
par Pièce
 
 Pièce
Transistor: N-JFET; unipolaire; 350mW; SOT23; 50mA (1 offre) 
Type de transistor: N-JFET Polarisation: unipolaire Puissance: 350mW Boîtier: SOT23 Tension entrée-source: -30V Résistance en état de conduction: 60Ω Montage: SMD Genre de la emballage: bande; roul...
ON Semiconductor
MMBF4392
à partir de € 0,0411*
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 Pièces
MOSFET N, 60 V 12 A 48 W TO-252-3 (1 offre) 
Désignation: MOSFET, Température de service: -55...+75 °C, Polarité: N, Type de boîtier: TO-252-3, Variantes: Canal N, Enh., Puissance dissipée: 48 W
ON Semiconductor
NTD3055L104T4G
à partir de € 0,32*
par Pièce
 
 Pièce
IGBT, IGW15T120, Canal-N, 30 A 1200 V A-247, 3 broches (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 30 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 1200 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 110 W Type de boîtier = A-247 Typ...
Infineon
IGW15T120FKSA1
à partir de € 1,258*
par Pièce
 
 Pièces
IGBT, IKB10N60T, Canal-N, 20 A 600 V D2PAK (TO-263) 1MHz, 3 broches (1 offre) 
Courant continu de Collecteur maximum = 20 A Tension Collecteur Emetteur maximum = 600 V Tension Grille Emetteur maximum = ±20V Dissipation de puissance maximum = 110 W Type de boîtier = D2PAK (TO-...
Infineon
IKB10N60T
à partir de € 0,774*
par Pièce
 
 Pièces
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