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Courant direct maximum = 1A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 200V Type de boîtier = SMF (DO-219AB) Nombre de broches = 2

Puissance 250 mW Gamme de produit SMM0204 Type de boîtier de résistance MiniMELF 0204 Technologie de résistance Couche mince Température de fonctionnement max.. 155 °C Température d'utilisation min...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.313 ohm Gamme de produit E MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal ...

Puissance 250 mW Gamme de produit SMM0204 Type de boîtier de résistance MiniMELF 0204 Technologie de résistance Couche mince Température de fonctionnement max.. 155 °C Température d'utilisation min...

Type de montage = CMS Type de boîtier = SlimDPAK Courant direct continu maximum = 10A Tension inverse de crête répétitive = 120V Série = eSMP® Series Type de redressement = Redresseur Schottky Type...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 42 A Tension Drain Source maximum = 650 V Type de boîtier = PowerPAK 10 x 12 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Nombre d'éléments par c...

Courant direct maximum = 1A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 400V Type de boîtier = SMF (DO-219AB) Nombre de broches = 2

Fabricant: VISHAY Montage: THT Boîtier: SOD64 Tension inverse max.: 1kV Tension de conduction max.: 1,4V Courant de conduction: 3A Construction de semi-conducteur: diode simple Temps d'attente: 100...

Configuration de diode = Simple Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = TO-252AA Nombre de broches = 3 + Tab Capacitance de diode maximum = 11pF Températu...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 21 A Tension Drain Source maximum = 650 V Type de boîtier = PowerPAK 10 x 12 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Nombre d'éléments par c...

Fabricant: VISHAY Montage: SMD Boîtier: DO213AB Tension inverse max.: 0,6kV Tension de conduction max.: 1,3V Courant de conduction: 1A Construction de semi-conducteur: diode simple Courant d'impuls...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0036 ohm Gamme de produit TrenchFET Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Cour...

Type de montage = CMS Type de boîtier = SlimPack (TO-252AE) Courant direct continu maximum = 10A Tension inverse de crête répétitive = 120V Série = V10P Type de redressement = Redresseur Schottky T...

Dissipation de puissance crête (en impulsion) 4.6 kW Gamme de produit PAR Tension Standoff inverse 22 V Tension de maintien Max 40 V Polarité TVS Unidirectionelle Nombre de broches 2 Broche(s) Tens...

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.024 ohm Gamme de produit TrenchFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type d...