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MOSFET onsemi canal N, SOT-23 2,2 A 30 V, 3 broches


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-1241703
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FDN337N
EAN/GTIN:
     5059042707724
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
2,2 A
Tension Drain Source maximum:
30 V
Type de boîtier:
SOT-23
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
65 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
1V
Tension de seuil minimale de la grille:
0.4V
Dissipation de puissance maximum:
500 mW
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-8 V, +8 V
Longueur:
2.92mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Autres mots de recherche: MOSFET, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, transistor à effet de champ, 1241703, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDN337N
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Expédition: Entrepôt 1295
Montant de la commande
Expédition
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Franco à domicile
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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Accessoires
Nous disposons des accessoires suivants dans notre gamme :
Type
Image
Produit
Fabricant/N°.
Prix HT
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MGJ2D152005SC
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MGJ2D122005SC
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Accessoires
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
à partir de € 15,95*
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