MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 40 A 600 V, 3 broches

Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor. Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximale ultra-faible, un facteur de mérite faible et une commutation rapide. Ils sont disponibles dans une large gamme d'intensités nominales. Les applications typiques incluent les alimentations de serveurs et télécommunication, l'éclairage à LED, les convertisseurs Flyback, la correction du facteur de puissance et les alimentations à découpage. Caractéristiques. Facteur de mérite (FOM) faible RDS(on) x Qg Faible capacité d'entrée Faible résistance à l'état passant (RDS(on)) Très faible charge de grille (Qg) Commutation rapide Pertes de conduction et de commutation réduites