Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1451732 N°. du fabricant: V30120SG-E3/4W EAN/GTIN: 5059040805200 |
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| TMBS - Redresseurs barrière Schottky MOS Trench, 30 à 80 A, Vishay Semiconductor. La série de redresseurs barrière Schottky MOS Trench (TMBS) de Vishay contient une structure à tranchée brevetée. Les redresseurs TMBS offrent plusieurs avantages par rapport aux redresseurs Schottky planaires. A des tensions d'utilisation de 45 V et au-delà, les redresseurs Schottky planaires peuvent perdre leur avantage de commutation rapide et de faible chute de tension à un degré significatif. La structure TMBS brevetée aborde ces problèmes en réduisant les injections de porteur minoritaire dans la région à dérive, minimisant ainsi les charges stockées tout en améliorant les vitesses de commutation. Structure à tranchée brevetée Efficacité améliorée dans les alimentations à découpage c.a./c.c. et les convertisseurs c.c./c.c. Forte densité de puissance et faible tension directe. Caractéristiques Plus d'informations: | | Type de montage: | Traversant | Type de boîtier: | TO-220AB | Courant direct continu maximum: | 30A | Tension inverse de crête répétitive: | 120V | Configuration de diode: | Simple | Type de redressement: | Redresseur Schottky | Type diode: | Schottky | Nombre de broches: | 3 | Chute minimale de tension directe: | 1.28V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Barrière Schottky | courant direct de surcharge non-répétitif de crête: | 220A |
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| Autres mots de recherche: diode schottky, 1451732, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, Vishay, V30120SGE34W |
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