Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1451911 N°. du fabricant:
SIHF30N60E-GE3 EAN/GTIN:
5059040789005 |
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| Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor. Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximale ultra-faible, un facteur de mérite faible et une commutation rapide. Ils sont disponibles dans une large gamme d'intensités nominales. Les applications typiques incluent les alimentations de serveurs et télécommunication, l'éclairage à LED, les convertisseurs Flyback, la correction du facteur de puissance et les alimentations à découpage. Caractéristiques. Facteur de mérite (FOM) faible RDS(on) x Qg Faible capacité d'entrée Faible résistance à l'état passant (RDS(on)) Très faible charge de grille (Qg) Commutation rapide Pertes de conduction et de commutation réduites Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 29 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | TO-220FP | Série: | E Series | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 125 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 37 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 10.63mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1451911, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SIHF30N60EGE3 |
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