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MOSFET onsemi canal N, TO-220AB 51 A 250 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1455354
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FDP51N25
EAN/GTIN:
     5059042610055
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor. UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V. Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
51 A
Tension Drain Source maximum:
250 V
Type de boîtier:
TO-220AB
Série:
UniFET
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
60 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
3V
Dissipation de puissance maximum:
320 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-30 V, +30 V
Longueur:
10.67mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Autres mots de recherche: MOSFET, Transistors, Transistor, mosfet 250v, transistor à effet de champ, 1455354, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDP51N25
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Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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