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IGBT, RGTH80TS65DGC11, , 70 A, 650 V, TO-247N, 3 broches, Simple


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1501500
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     RGTH80TS65DGC11
EAN/GTIN:
     5059043648729
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Faible tension de saturation collecteur - émetteur, commutation haute vitesse, faible perte de commutation et commutation douce, FRD de récupération très rapide et douce intégrée (série RFN), placage sans plomb, conforme RoHS
Plus d'informations:
Courant continu de Collecteur maximum:
70 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:
650 V
Tension Grille Emetteur maximum:
±30V
Dissipation de puissance maximum:
234 W
Nombre de transistors:
1
Type de boîtier:
TO-247N
Type de montage:
Traversant
Type de canal:
N
Nombre de broches:
3
Configuration du transistor:
Simple
Dimensions:
16 x 5 x 21mm
Capacité de grille:
85pF
Température d'utilisation maximum:
+175 °C
Température de fonctionnement minimum:
-40 °C
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt, 1501500, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, ROHM, RGTH80TS65DGC11
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Prix: Entrepôt 1295
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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