Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1513073 N°. du fabricant:
PMXB120EPEZ EAN/GTIN:
5059043038780 |
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| Transistors MOSFET canal P, la solution idéale pour votre conception lorsque les canaux N ne sont pas adaptés. Notre grand catalogue MOSFET inclut également de nombreuses familles de dispositifs à canal P, basées sur la technologie de pointe des tranchées Nexperia. Avec des valeurs nominales de 12 V à 70 V et des boîtiers de faible et moyenne puissance, ces transistors présentent le haut niveau defficacité et de fiabilité caractéristique de nos produits.Transistor MOSFET à tranchées à canal P 30 V, transistor à effet de champ (FET) à mode denrichissement et canal P dans un très petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) DFN1010D-3 (SOT1215) sans câble utilisant la technologie MOSFET à tranchées.Technologie MOSFET à tranchée Très petit boîtier en plastique CMS ultramince sans câble : 1,1 x 1 x 0,37 mm Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) HBM 1 kV Résistance drain-source à létat passant RDSon = 350 mΩ Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 2,4 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | DFN1010D-3, SOT1215 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 187 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | -2.5V | Tension de seuil minimale de la grille: | -1V | Dissipation de puissance maximum: | 8,33 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Longueur: | 1.15mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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