Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1513187 N°. du fabricant:
PMV55ENEAR EAN/GTIN:
5059043653440 |
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| Transistors MOSFET pour lautomobile, la plus grande gamme mondiale de MOSFET de puissance qualifiés AEC-Q101, une compréhension approfondie des exigences du système automobile et des capacités techniques ciblées permettent à Nexperia de fournir des solutions de semi-conducteurs de puissance pour un large éventail dapplications. De la gestion dune simple lampe aux besoins complexes du contrôle de puissance dans les applications de moteur, de corps ou de châssis, les semi-conducteurs de puissance de Nexperia peuvent fournir la réponse à de nombreux problèmes de puissance des systèmes automobiles.Conforme AEC-Q101 Résistance aux avalanches répétitives Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à la valeur nominale de 175 °CTransistor MOSFET à tranchées canal N 60 V, transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal N, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 (TO-236AB) utilisant la technologie MOSFET à tranchées.Niveau logique compatible Commutation très rapide Technologie MOSFET à tranchée Protection contre les décharges électrostatiques (PSDE) > HBM 2 kV Certifié AEC-Q101 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 3,1 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | SOT-23 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 120 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.7V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.3V | Dissipation de puissance maximum: | 8,36 W inclus) | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Longueur: | 3mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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