Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1513200 N°. du fabricant:
PMPB215ENEAX EAN/GTIN:
5059043680491 |
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| Transistor MOSFET à tranchées à canal N simple 80 V, transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal N intégré dans un boîtier en plastique à montage en surface (CMS) DFN2020MD-6 (SOT1220) à puissance moyenne sans câble utilisant la technologie MOSFET à tranchées.Technologie MOSFET à tranchée Boîtier en plastique CMS petit et ultramince sans câble : 2 x 2 x 0,65 mm Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique Pastilles soudables latérales 100 % laiton étamé pour linspection optique de la soudure Certifié AEC-Q101 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 2,8 A | Tension Drain Source maximum: | 80 V | Type de boîtier: | DFN2020 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 445 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.7V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.3V | Dissipation de puissance maximum: | 15,6 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Longueur: | 2.1mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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