Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1530676 N°. du fabricant:
PMV280ENEAR EAN/GTIN:
5059043362311 |
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| Transistors MOSFET canal N 75 V-200 V. Vous êtes maintenant dans lun des plus grands portefeuilles de MOS standard au monde. Etes-vous à la recherche de transistors MOSFET haute fiabilité dans la plage de 75 V à 200 V pour simplifier vos conceptions ? Nos dispositifs sont parfaits pour les applications à espace et puissance limités, offrant dexcellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) de pointe. Par exemple, les transistors MOSFET de puissance de notre gamme LFPAK offrent un RDSon ultra-faible, une commutation haute vitesse et des tensions nominales jusquà 200 V.Transistor MOSFET à tranchée canal N 100 V, transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal N, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 (TO-236AB) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.Niveau logique compatible Commutation très rapide Technologie MOSFET à tranchée Protection contre les décharges électrostatiques (PSDE) > HBM 2 kV Certifié AEC-Q101 Driver de relais Driver de ligne haut débit Commutateur en charge Low-side Circuits de commutation Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 1 A | Tension Drain Source maximum: | 100 V | Type de boîtier: | SOT-23 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 892 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.7V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.3V | Dissipation de puissance maximum: | 5 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Longueur: | 3mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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