MOSFET Nexperia canal N, DFN1010D-3 3,2 A 30 V, 4 broches

Transistors MOSFET canal N de 25 V-30 V. Performances robustes grâce au savoir-faire de la technologie avancée, transistors MOSFET faciles à utiliser dans la plage de 25 V à 30 V. Parfaits pour les applications à espace et puissance limités, ils offrent dexcellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) qui est la meilleure de sa catégorie. Vous avez besoin dune autre tension nominale ? Consultez les autres produits de notre vaste gamme pour plus doptions.Transistor MOSFET à tranchée canal N 30 V, transistor à effet de champ (FET) à mode denrichissement et canal N dans un très petit boîtier en plastique sans câble à montage en surface (CMS) DFN1010D-3 (SOT1215) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.Technologie MOSFET à tranchée Boîtier en plastique CMS très petit et mince sans câble : 1,1 x 1 x 0,37 mm Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique Résistance à très faible drain-source à létat passant RDSon = 49 mΩ Commutation très rapide Commutateur en charge Low-side et commutateur de charge pour les appareils portables Gestion de lalimentation dans les dispositifs portables à batterie Circuit de LED Convertisseurs c.c.-c.c.