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MOSFET Nexperia canal N, DFN1010B-6 260 mA 60 V, 8 broches


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1531880
Fabricant:
     Nexperia
N°. du fabricant:
     NX7002BKXBZ
EAN/GTIN:
     5059043666808
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors MOSFET canal N 40 V-60 V, transistors MOSFET de niveau logique et standard dans divers boîtiers, les transistors MOSFET robustes et faciles à utiliser sont disponibles dans la plage de 40 V à 60 V et font partie de notre large gamme de transistors MOSFET. Ils sont parfaits pour les applications à espace et puissance limités, offrant dexcellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) de pointe.Transistor MOSFET à tranchée double canal N 60 V, transistor à effet de champ (FET) à mode denrichissement et double canal N dans un très petit boîtier en plastique sans câble à montage en surface (CMS) DFN1010B-6 (SOT1216) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.Niveau logique compatible Boîtier en plastique CMS très petit et ultra-mince sans câble 1,1 x 1 x 0,37 mm Technologie MOSFET à tranchée Protection contre les décharges électrostatiques (PSDE) > HBM 2 kV Driver de relais Driver de ligne haut débit Commutateur en charge Low-side Circuits de commutation
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
260 mA
Tension Drain Source maximum:
60 V
Type de boîtier:
DFN1010B-6
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
8
Résistance Drain Source maximum:
5,7 Ω
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille:
1.1V
Dissipation de puissance maximum:
4032 mW
Tension Grille Source maximum:
20 V
Longueur:
1.15mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Nombre d'éléments par circuit:
2
Autres mots de recherche: MOSFET, Relais MOSFET, Relais asymétrique, Relais asymétriques, Relais de tension monophasé, Relais de tension monophasés, Relais de surveillance réseau, Relais surveillance réseau, Relais de tension, Relais surveillance tension, Relais de surveillance de sous-tension, Relais de contrôle de sous-tension, Relais de surveillance de sous tension, Relais de contrôle de sous tension, Relais de sous-tension, Relais de sous tension, Relais de surveillance de sur-tension, Relais de surveillance de sur tension, Relais de contrôle de sur-tension, Relais de contrôle de sur tension, Relais de sur-tension, Relais de surveillance sur-tension, mosfet 60v, transistor à effet de champ, 1531880, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Nexperia, NX7002BKXBZ
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