Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1531936 N°. du fabricant:
PMXB75UPEZ EAN/GTIN:
5059043652214 |
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| Transistor MOSFET à tranchée à canal P 20 V, transistor à effet de champ (FET) à mode denrichissement et canal P dans un très petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) DFN1010D-3 (SOT1215) sans câble utilisant la technologie MOSFET à tranchée.Technologie MOSFET à tranchée Très petit boîtier en plastique CMS ultramince sans câble : 1,1 x 1 x 0,37 mm Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) HBM 1,5 kV Résistance drain-source à létat passant RDSon = 69 mΩ Très faible tension de seuil grille-source pour les applications portables VGS(th) = -0,68 V Commutateur en charge High-side et commutateur de charge pour les appareils portables Gestion de lalimentation dans les dispositifs portables à batterie Driver de LED Convertisseur c.c.-c.c. Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 2,9 A | Tension Drain Source maximum: | 20 V | Type de boîtier: | DFN1010D-3, SOT1215 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 950 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | -1V | Tension de seuil minimale de la grille: | -0.4V | Dissipation de puissance maximum: | 8330 mW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 8 V | Longueur: | 1.15mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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