Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1531958 N°. du fabricant:
PMXB40UNEZ EAN/GTIN:
5059043688183 |
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| Transistor MOSFET à tranchée canal N 12 V, transistor à effet de champ (FET) à mode denrichissement et canal N dans un très petit boîtier en plastique sans câble à montage en surface (CMS) DFN1010D-3 (SOT1215) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.Technologie MOSFET à tranchée Boîtier en plastique CMS très petit et mince sans câble : 1,1 x 1 x 0,37 mm Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique Protection contre les décharges électrostatiques (PSDE) 1 kV Résistance à très faible drain-source à létat passant RDSon = 34 mΩ Très faible tension de seuil de 0,65 V pour les applications portables Commutateur en charge Low-side et commutateur de charge pour les appareils portables Gestion de lalimentation dans les dispositifs portables à batterie Driver de LED Convertisseurs c.c.-c.c. Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 3,2 A | Tension Drain Source maximum: | 12 V | Type de boîtier: | DFN1010D-3 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 121 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 0.9V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.4V | Dissipation de puissance maximum: | 8,33 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 8 V | Longueur: | 1.15mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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