MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 110 A 100 V, 8 broches

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Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-1628145

Fabricant:
Texas Instruments

N°. du fabricant:
CSD19531Q5AT

EAN/GTIN:
5059042436341

Mots de recherche:

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	110 A
Tension Drain Source maximum:	100 V
Type de boîtier:	VSONP
Série:	NexFET
Type de montage:	CMS
Nombre de broches:	8
Résistance Drain Source maximum:	7,8 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:	3.3V
Tension de seuil minimale de la grille:	2.2V
Dissipation de puissance maximum:	125 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-20 V, +20 V
Longueur:	6.1mm

Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, mosfet 100v, transistor cms, 1628145, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Texas Instruments, CSD19531Q5AT

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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295

Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.