Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1652750 N°. du fabricant: SI4162DY-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040703438 |
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| Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 13,6 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | SOIC | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 8 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 2,5 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 5mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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| Autres mots de recherche: 1652750, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SI4162DYT1GE3 |
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