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Module IGBT, FP15R12W1T4B3BOMA1, , 28 A, 1200 V, EASY1B, 23 broches, Triphasé


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1655899
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     FP15R12W1T4_B3
EAN/GTIN:
     5059043328607
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Modules IGBT
Module IGBT
Transistor de puissance
Modules IGBT, Infineon. La gamme de modules IGBT Infineon se caractérise par une faible perte de commutation pour la commutation jusqu'à des fréquences de 60 kHz. Les IGBT s'étendent sur une gamme de modules d'alimentation tels que les boîtiers ECONOPACK avec émetteur collecteur à 1 200 V, modules Chopper IGBT demi-pont PrimePACK avec NTC jusqu'à 1 600 / 1 700V. Les IGBT PrimePACK peuvent se trouver dans les véhicules industriels, commerciaux, de construction et agricoles. Le canal N ;sup>TM ;/sup> TRENCHSTOP et les modules IGBT Fieldstop sont adaptés aux applications de commutation immédiate et de commutation progressive telles que les inverseurs, les onduleurs et les variateurs industriels.. Les styles de boîtier incluent : modules 62 mm, EasyPack ECONOPACK ;sup>TM ;/sup>2/ECONOPACK ;sup>TM ;/sup>3/ECONOPACK ;sup>TM ;/sup>4
Plus d'informations:
Courant continu de Collecteur maximum:
28 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
130 W
Configuration:
Collecteur commun
Type de boîtier:
EASY1B
Type de montage:
Montage sur CI
Type de canal:
N
Nombre de broches:
23
Vitesse de découpage:
1MHz
Configuration du transistor:
Triphasé
Dimensions:
48 x 33.8 x 12mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Température de fonctionnement minimum:
-40 °C
Autres mots de recherche: Transistors de puissance, Transistors, Transistor, transistor igbt, 1655899, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, Infineon, FP15R12W1T4_B3
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État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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