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MOSFET Vishay canal N, I2PAK (TO-262) 18 A 200 V, 3 broches


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-1656089
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIHF640L-GE3
EAN/GTIN:
     5059040819849
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 200v
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
18 A
Tension Drain Source maximum:
200 V
Type de boîtier:
I2PAK (TO-262)
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
180 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
2V
Dissipation de puissance maximum:
130 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-20 V, +20 V
Longueur:
10.67mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Nombre d'éléments par circuit:
1
Autres mots de recherche: transistors de puissance, mosfet 250v, 1656089, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SIHF640LGE3
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HT
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Unité
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par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 51,38*
€ 61,656
par Boîte
à partir de 5 Boîtes
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€ 54,936
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 41,10*
€ 49,32
par Boîte
à partir de 20 Boîtes
€ 40,32*
€ 48,384
par Boîte
à partir de 3000 Boîtes
€ 35,67*
€ 42,804
par Boîte
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