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MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 100 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1656549
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     STB100N10F7
EAN/GTIN:
     5059042388763
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
80 A
Tension Drain Source maximum:
100 V
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Série:
STripFET H7
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
8 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille:
2.5V
Dissipation de puissance maximum:
150 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-20 V, +20 V
Longueur:
10.4mm
Autres mots de recherche: MOSFET, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, mosfet 100v, transistor à effet de champ, 1656549, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, STB100N10F7
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Expédition: Entrepôt 1295
Montant de la commande
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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