Informations sur les produits: | | |
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| N° du produit:
1295E-1656879 N°. du fabricant:
BSZ086P03NS3EGATMA1 EAN/GTIN:
5059043208749 |
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| Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™. Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS ™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.. Mode d'enrichissement Résistance aux avalanches Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS Boîtiers standard Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 40 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | TSDSON | Série: | OptiMOS P | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 13,4 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 1.9V | Tension de seuil minimale de la grille: | 3.1V | Dissipation de puissance maximum: | 69 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -25 V, +25 V | Longueur: | 3.4mm |
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| Autres mots de recherche: mosfet de puissance, 1656879, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, BSZ086P03NS3EGATMA1 |
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