MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 7,2 A, 8 A 40 V, 8 broches

Quantité:

Boîte

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-1657276

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SI4564DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040660366

Mots de recherche:

Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors

Plus d'informations:


Type de canal:	N, P
Courant continu de Drain maximum:	7,2 A, 8 A
Tension Drain Source maximum:	40 V
Type de boîtier:	SOIC
Type de montage:	CMS
Nombre de broches:	8
Résistance Drain Source maximum:	20 mΩ, 28 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	0.8V
Dissipation de puissance maximum:	3,1 W, 3,2 W
Configuration du transistor:	Isolé
Tension Grille Source maximum:	-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Longueur:	5mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit:	2

Autres mots de recherche: 1657276, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SI4564DYT1GE3

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