Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1660942 N°. du fabricant:
STB18N60DM2 EAN/GTIN:
5059042263589 |
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| Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé. Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système Certifié AEC-Q101 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 12 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | D2PAK (TO-263) | Série: | MDmesh DM2 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 290 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 3V | Dissipation de puissance maximum: | 90 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -25 V, +25 V | Longueur: | 9.35mm |
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| Autres mots de recherche: 1660942, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, STB18N60DM2 |
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