Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1661837 N°. du fabricant:
FQT4N20LTF EAN/GTIN:
5059042048995 |
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| Transistor MOSFET à canal N QFET®, jusqu'à 5,9 A, Fairchild Semiconductor. Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement. Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents. Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 850 mA | Tension Drain Source maximum: | 200 V | Type de boîtier: | SOT-223 | Série: | QFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 1,35 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 2,2 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 6.5mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 1661837, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FQT4N20LTF |
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