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Transistor de puissance
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Produit
MOSFET onsemi canal P, SOIC 11 A 30 V, 8 broches
Quantité:
Pièce
Informations sur les produits
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N° du produit:
1295E-1662610
Fabricant:
onsemi
N°. du fabricant:
FDS6675BZ
EAN/GTIN:
5059042242584
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Transistor MOSFET à canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c. Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. Grâce à l'utilisation de cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui des générations précédentes. Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
Plus d'informations:
Type de canal:
P
Courant continu de Drain maximum:
11 A
Tension Drain Source maximum:
30 V
Type de boîtier:
SOIC
Série:
PowerTrench
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
8
Résistance Drain Source maximum:
13 MΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
1V
Dissipation de puissance maximum:
2,5 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-25 V, +25 V
Longueur:
5mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
... >
Semi-conducteurs
>
Composants discrets
>
Transistors MOSFET
Autres mots de recherche:
1662610
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Semi-conducteurs
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Composants discrets
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onsemi
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FDS6675BZ
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État de la marchandise:
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