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MOSFET ON Semiconductor canal N, DPAK (TO-252) 14 A 50 V, 3 broches

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Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-1662655

Fabricant:
onsemi

N°. du fabricant:
RFD14N05LSM9A

EAN/GTIN:
5059042238716

Mots de recherche:

Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	14 A
Tension Drain Source maximum:	50 V
Type de boîtier:	DPAK (TO-252)
Type de montage:	CMS
Nombre de broches:	3
Résistance Drain Source maximum:	100 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	1V
Dissipation de puissance maximum:	48 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-10 V, +10 V
Longueur:	6.73mm
Température d'utilisation maximum:	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit:	1

... > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

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Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.