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MOSFET onsemi canal N, SOT-223 6,3 A 30 V, 3 broches

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Pièce

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-1662704

Fabricant:
onsemi

N°. du fabricant:
FDT439N

EAN/GTIN:
5059042237344

Mots de recherche:

Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
MOSFET de puissance
Transistor de puissance

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor. Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	6,3 A
Tension Drain Source maximum:	30 V
Type de boîtier:	SOT-223
Type de montage:	CMS
Nombre de broches:	3
Résistance Drain Source maximum:	72 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	0.4V
Dissipation de puissance maximum:	3 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-8 V, +8 V
Longueur:	6.5mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit:	1

... > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Autres mots de recherche: Transistors de puissance, MOSFET, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor à effet de champ, 1662704, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDT439N

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Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.