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MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247 45 A 1200 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1688966
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     SCT30N120
EAN/GTIN:
     5059042333275
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 200v
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) à canal N, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
45 A
Tension Drain Source maximum:
1200 V
Type de boîtier:
HiP247
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
100 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum:
270 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-10 V, +25 V
Longueur:
15.75mm
Température d'utilisation maximum:
+200 °C
Nombre d'éléments par circuit:
1
Matériau du transistor:
Si
Autres mots de recherche: transistors de puissance, mosfet 40a, 1688966, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, SCT30N120
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Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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